Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: D2012. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3A. Plage de température de fonctionnement min (°C): 30W. Plage de température de fonctionnement max (°C): montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Courant de collecteur: 3.5A. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 6A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN

Fonction: FI,NF (F). Quantité par boîtier: 1 db. Diode BE: NINCS. Diode CE: NINCS. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 30pF. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126FP. Id(imp): 10A. Gain hFE maxi: 390. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Gain hFE mini: 120. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. FT: 150 MHz

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: IBp=2A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Quantité par boîtier: 1 db. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3 pièces. ROHS: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 2.37k Ohms. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Gain hFE mini: 5000. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1560. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: S Io-sat. Remarque: sérigraphie/code CMS DT. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1561. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: D2394. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE 5000. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire 2SB1587

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1588. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 110V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Remarque: >5000. Dissipation de puissance maxi: 60W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1625. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CRT-HA Hi-r. Remarque: Vce(sat)=5V. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 80V, 3A, MT-3-A1. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: MT-3-A1. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 1.5W. Fréquence maxi: 50 MHz