Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/35V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, A21/B, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: A21/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V/10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.12W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1000V/500V. Dissipation maximale Ptot [W]: 22W

Transistor NPN, 0.2A, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 220 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Brochage: 1. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 20V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: 'lo-sat'. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, 30 v. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: UNI. Equivalences: SONY--8-729-102-03. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. C (out): 120pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: amplificateurs de puissance audio, convertisseurs DC-DC. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB817. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: onduleurs à grande vitesse, convertisseurs, basse saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 15A. Marquage sur le boîtier: D1062. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB826. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: remplaçant. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: remplaçant. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SD1279. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 600V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M37/J, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M37/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 8A, 120V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: 2.32k Ohms. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Io-sat. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar'. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M46/J, 6A, 600V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M46/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): NPN. Plage de température de fonctionnement max (°C): 1500V