Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80$ | 0.84$ |
5 - 9 | 0.76$ | 0.80$ |
10 - 24 | 0.72$ | 0.76$ |
25 - 49 | 0.70$ | 0.74$ |
50 - 99 | 0.68$ | 0.71$ |
100 - 149 | 0.64$ | 0.67$ |
150 - 1000000 | 0.61$ | 0.64$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80$ | 0.84$ |
5 - 9 | 0.76$ | 0.80$ |
10 - 24 | 0.72$ | 0.76$ |
25 - 49 | 0.70$ | 0.74$ |
50 - 99 | 0.68$ | 0.71$ |
100 - 149 | 0.64$ | 0.67$ |
150 - 1000000 | 0.61$ | 0.64$ |
Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v - BC558C. Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 21:25.
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