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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C
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Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC557C. Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

Documentation technique

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Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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