Quantité (Lot de 5) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 2 | 0.57$ | 0.60$ |
3 - 4 | 0.54$ | 0.57$ |
5 - 9 | 0.51$ | 0.54$ |
10 - 19 | 0.48$ | 0.50$ |
20 - 49 | 0.45$ | 0.47$ |
50 - 99 | 0.42$ | 0.44$ |
100 - 1288 | 0.37$ | 0.39$ |
Quantité (Lot de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.57$ | 0.60$ |
3 - 4 | 0.54$ | 0.57$ |
5 - 9 | 0.51$ | 0.54$ |
10 - 19 | 0.48$ | 0.50$ |
20 - 49 | 0.45$ | 0.47$ |
50 - 99 | 0.42$ | 0.44$ |
100 - 1288 | 0.37$ | 0.39$ |
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V - BC547C. Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): TO-226. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 270. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557C. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 13:25.
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