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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - STD10PF06

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5 - 9 2.63$ 2.76$
10 - 24 2.55$ 2.68$
25 - 49 2.49$ 2.61$
50 - 99 2.44$ 2.56$
100 - 249 2.36$ 2.48$
250+ 2.27$ 2.38$
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Transistor canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - STD10PF06. Transistor canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 850pF. C (out): 230pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 7A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.

Documentation technique

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Transistor canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 340pF. C (out): 40pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 7.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 10P6F6. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 64 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET de puissance STRipFET™ II à faible charge de grille. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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