Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.32$ | 2.44$ |
5 - 9 | 2.20$ | 2.31$ |
10 - 24 | 2.09$ | 2.19$ |
25 - 49 | 1.97$ | 2.07$ |
50 - 99 | 1.54$ | 1.62$ |
100 - 249 | 1.50$ | 1.58$ |
250 - 6325 | 1.43$ | 1.50$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.32$ | 2.44$ |
5 - 9 | 2.20$ | 2.31$ |
10 - 24 | 2.09$ | 2.19$ |
25 - 49 | 1.97$ | 2.07$ |
50 - 99 | 1.54$ | 1.62$ |
100 - 249 | 1.50$ | 1.58$ |
250 - 6325 | 1.43$ | 1.50$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FDD5690. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDD5690. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1110pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 09:25.
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