Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.92$ | 9.37$ |
2 - 2 | 8.47$ | 8.89$ |
3 - 4 | 8.20$ | 8.61$ |
5 - 9 | 8.02$ | 8.42$ |
10 - 19 | 7.85$ | 8.24$ |
20 - 29 | 7.58$ | 7.96$ |
30 - 33 | 7.31$ | 7.68$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.92$ | 9.37$ |
2 - 2 | 8.47$ | 8.89$ |
3 - 4 | 8.20$ | 8.61$ |
5 - 9 | 8.02$ | 8.42$ |
10 - 19 | 7.85$ | 8.24$ |
20 - 29 | 7.58$ | 7.96$ |
30 - 33 | 7.31$ | 7.68$ |
Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD. Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2510pF. C (out): 175pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: capacité de courant élevée, impédance d'entrée élevée. Diode au Germanium: non. Date de production: 201509. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 135A. Marquage sur le boîtier: GW30NC120HD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.75V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 16:25.
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