Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. Id (T=100°C): 6.93A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ). Tension Vds(max): 650V. C (in): 790pF. C (out): 70pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 75. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2000. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 3A. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 310pF. C (out): 49pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 12A. Marquage sur le boîtier: D4NK50Z. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor canal N, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 1.76 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 47pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: oui. Id(imp): 16A. Marquage sur le boîtier: D4NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.77A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 545pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée, faible IDSS. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 5N52K3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: Enhancement type. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.25 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Tension Vds(max): 525V. C (in): 529pF. C (out): 71pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.6A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 5N52U. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: Enhancement type. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.84 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 363pF. C (out): 24.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 213 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 7NM60N. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Dissipation de puissance maxi: 460W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Isolation électrique: 2500V (AC-RMS). Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (type): 38 ns. Tr: 70 ns. Température de fonctionnement: -65...150°C. Tension grille/source Vgs: ±30V

Transistor canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 870pF. C (out): 50pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13N80K5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 10A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F3NK80Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5NK100Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 100mA. Résistance passante Rds On: 0.63 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 452pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 324 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 26A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: 9NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 26A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 610pF. C (out): 65pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: variateur de lumière, relais statique, pilote de moteur. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 100A. Marquage sur le boîtier: GF10NB60SD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: faible chute de tension (VCE(sat)). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.35V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 380pF. C (out): 46pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: Commandes de moteur à haute fréquence. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Marquage sur le boîtier: GP10NC60KD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: Durée de tenue aux courts-circuits 10us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2200pF. C (out): 225pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 44 ns. Fonction: onduleurs haute fréquence, UPS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 150A. Marquage sur le boîtier: GW20NC60VD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2510pF. C (out): 175pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35 ns. Fonction: capacité de courant élevée, impédance d'entrée élevée. Diode au Germanium: non. Date de production: 201509. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 135A. Marquage sur le boîtier: GW30NC120HD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 220W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.75V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V

Transistor canal N, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 4550pF. C (out): 350pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Fonctionnement haute fréquence jusqu'à 50KHz. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 200A. Marquage sur le boîtier: GW40NC60V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 260W. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 43 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V

Transistor canal N, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1350pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET de puissance rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 25uA. Remarque: Viso 4000V. Marquage sur le boîtier: H8NA60FI. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: 'Enhancement mode'. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V

Transistor canal N, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 630mA. Id (T=25°C): 1A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 150pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 4A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4NF20L. Dissipation de puissance maxi: 3.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V

Transistor canal N, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 80V. C (in): 5955pF. C (out): 244pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 38 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Protection G-S: non. Id(imp): 400A. Marquage sur le boîtier: 100N8F6. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 176W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V