Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M17/J, 90V/80V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M17/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V/80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M17/J, 40V/20V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M17/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 20V/15V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 25V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: hFE 120...240. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD468. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V

Transistor PNP, 0.1A, SC-71, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-71. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, SC-71, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-71. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 30V/25V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: B647. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD667. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 27pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD669A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Marquage sur le boîtier: B668. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD718. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 7A, 170V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 170V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W

Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): MINI MOLD. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 2.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: AQ. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD601. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 35V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 60V/50V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor PNP, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD882. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.02A, 120V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 12A, TO-3PN, 160V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1047. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1133. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V

Transistor PNP, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Résistance B: 10. Diode BE: non. Résistance BE: 47. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor PNP. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1138. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 3V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1207. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 45V/40V, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W