Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 90V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, 1A, 20V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 90V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 40V/32V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: audio/vidéo. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: hauteur 9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, 2-5F1B, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): 2-5F1B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 350. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2275. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 40V/32V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 120V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M10/J, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M10/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W

Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: SMD BA0. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 39pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1683. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: NF-E-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 95pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1804. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 20 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V

Transistor PNP, 5A, 25V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 320 MHz. Fonction: Commutation stroboscopique à haute intensité. Remarque: hFE 140...280. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Type de transistor: PNP