Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63$ | 0.66$ |
5 - 9 | 0.60$ | 0.63$ |
10 - 24 | 0.57$ | 0.60$ |
25 - 49 | 0.54$ | 0.57$ |
50 - 99 | 0.51$ | 0.54$ |
100 - 102 | 0.58$ | 0.61$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63$ | 0.66$ |
5 - 9 | 0.60$ | 0.63$ |
10 - 24 | 0.57$ | 0.60$ |
25 - 49 | 0.54$ | 0.57$ |
50 - 99 | 0.51$ | 0.54$ |
100 - 102 | 0.58$ | 0.61$ |
Transistor PNP, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v - BC328-25. Transistor PNP, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -30V. C (in): -0.8A. C (out): 0.63W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 06:25.
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