Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: avec résistance de polarisation Rbe. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Applications de sortie de déviation horizontale TV couleur. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS H21. Marquage sur le boîtier: H21. Nombre de connexions: 6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Boîtier (selon fiche technique): EMT6. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS H9C. Marquage sur le boîtier: H9C. Nombre de connexions: 6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD SO6*

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: INFI->PANAS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 120pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: transistor unijonction UJT, hi-beta, lo-sat. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX788. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX550. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX551. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Courant de collecteur: 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 240 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tension de saturation VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. C (out): 30pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX753. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX790. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat)0.92V. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V