Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE18004G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, 450V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: SMPS. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: SWITCHMODE. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 1000V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 120W

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE253. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Résistance B: transistor de puissance NPN. Résistance BE: 100V. C (in): 4A. C (out): 15W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE3055T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-32. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 240. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126 ( TO-225 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L, VID.. Equivalences: KSE340. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Remarque: boîtier plastique. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Résistance BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Diode CE: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 50. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 2us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 100W

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 1000pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE800G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE803. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1000V, 5A, TO-220-F. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220-F. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 35W. Fréquence maxi: 13MHz

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode BE: non. Résistance BE: 50. C (out): 156pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 15A, 650V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Diode BE: non. C (out): 2.3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: NF-L, TO-264. Dissipation de puissance maxi: 170W. Spec info: TO-3PBL. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V