Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15003G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15004. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: Motorola. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15025. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15024G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21194G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21195. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ802G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 44H11G. Equivalences: MJD44H11G, MJD44H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 45H11G. Equivalences: MJD45H11G, MJD45H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: MJE13007G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 14 MHz

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE13009G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. RoHS: oui. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN