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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors bipolaires NPN

Transistors bipolaires NPN

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Quantité en stock : 134
MJ15003G

MJ15003G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Boîtier: soud...
MJ15003G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15003G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15004. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
MJ15003G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15003G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15004. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
Lot de 1
7.68$ TTC
(7.31$ HT)
7.68$
Quantité en stock : 20
MJ15015

MJ15015

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
MJ15015
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: Motorola. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V
MJ15015
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: Motorola. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V
Lot de 1
5.64$ TTC
(5.37$ HT)
5.64$
Quantité en stock : 5
MJ15015-ONS

MJ15015-ONS

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
MJ15015-ONS
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V
MJ15015-ONS
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Résistance BE: 70. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V
Lot de 1
21.39$ TTC
(20.37$ HT)
21.39$
Quantité en stock : 55
MJ15022

MJ15022

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
MJ15022
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V
MJ15022
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V
Lot de 1
5.76$ TTC
(5.49$ HT)
5.76$
Quantité en stock : 23
MJ15022-ONS

MJ15022-ONS

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
MJ15022-ONS
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
MJ15022-ONS
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
Lot de 1
19.24$ TTC
(18.32$ HT)
19.24$
Quantité en stock : 40
MJ15024-ONS

MJ15024-ONS

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
MJ15024-ONS
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15025. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
MJ15024-ONS
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15025. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V
Lot de 1
22.40$ TTC
(21.33$ HT)
22.40$
Quantité en stock : 55
MJ15024G

MJ15024G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. BoÃ...
MJ15024G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15024G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
MJ15024G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15024G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
Lot de 1
28.60$ TTC
(27.24$ HT)
28.60$
Quantité en stock : 35
MJ21194G

MJ21194G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. BoÃ...
MJ21194G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21194G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
MJ21194G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 16A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21194G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
Lot de 1
28.19$ TTC
(26.85$ HT)
28.19$
Quantité en stock : 37
MJ21196

MJ21196

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier:...
MJ21196
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21195. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V
MJ21196
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21195. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V
Lot de 1
20.23$ TTC
(19.27$ HT)
20.23$
Quantité en stock : 38
MJ802

MJ802

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-20...
MJ802
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
MJ802
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
20.38$ TTC
(19.41$ HT)
20.38$
Quantité en stock : 87
MJ802G

MJ802G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. BoÃ...
MJ802G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ802G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
MJ802G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ802G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C
Lot de 1
25.60$ TTC
(24.38$ HT)
25.60$
Quantité en stock : 120
MJD44H11G

MJD44H11G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimÃ...
MJD44H11G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
MJD44H11G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
2.25$ TTC
(2.14$ HT)
2.25$
Quantité en stock : 1178
MJD44H11RLG

MJD44H11RLG

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimÃ...
MJD44H11RLG
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
MJD44H11RLG
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
2.33$ TTC
(2.22$ HT)
2.33$
En rupture de stock
MJD44H11T4G

MJD44H11T4G

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PA...
MJD44H11T4G
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 44H11G. Equivalences: MJD44H11G, MJD44H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
MJD44H11T4G
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 44H11G. Equivalences: MJD44H11G, MJD44H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.54$ TTC
(1.47$ HT)
1.54$
En rupture de stock
MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PA...
MJD45H11T4G
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 45H11G. Equivalences: MJD45H11G, MJD45H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
MJD45H11T4G
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), DPAK CASE 369C, 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 45pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 45H11G. Equivalences: MJD45H11G, MJD45H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.64$ TTC
(1.56$ HT)
1.64$
En rupture de stock
MJE13005

MJE13005

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
MJE13005
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V
MJE13005
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V
Lot de 1
2.12$ TTC
(2.02$ HT)
2.12$
Quantité en stock : 128
MJE13007

MJE13007

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
MJE13007
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
MJE13007
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
Lot de 1
2.61$ TTC
(2.49$ HT)
2.61$
Quantité en stock : 120
MJE13007-CDIL

MJE13007-CDIL

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
MJE13007-CDIL
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
MJE13007-CDIL
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
Lot de 1
1.47$ TTC
(1.40$ HT)
1.47$
Quantité en stock : 354
MJE13007G

MJE13007G

Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-Ã...
MJE13007G
Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: MJE13007G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 14 MHz
MJE13007G
Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: MJE13007G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 14 MHz
Lot de 1
2.48$ TTC
(2.36$ HT)
2.48$
Quantité en stock : 20
MJE13009G

MJE13009G

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. B...
MJE13009G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE13009G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
MJE13009G
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE13009G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
4.75$ TTC
(4.52$ HT)
4.75$
Quantité en stock : 74
MJE15030

MJE15030

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
MJE15030
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
MJE15030
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Lot de 1
2.33$ TTC
(2.22$ HT)
2.33$
Quantité en stock : 118
MJE15030G

MJE15030G

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boît...
MJE15030G
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
MJE15030G
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
Lot de 1
3.52$ TTC
(3.35$ HT)
3.52$
Quantité en stock : 21
MJE15032

MJE15032

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A...
MJE15032
Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
MJE15032
Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
Lot de 1
2.15$ TTC
(2.05$ HT)
2.15$
Quantité en stock : 546
MJE15032G

MJE15032G

Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A]...
MJE15032G
Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. RoHS: oui. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
MJE15032G
Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V, 250V, 8A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. RoHS: oui. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz
Lot de 1
3.35$ TTC
(3.19$ HT)
3.35$
Quantité en stock : 53
MJE15034G

MJE15034G

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
MJE15034G
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
MJE15034G
Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
3.52$ TTC
(3.35$ HT)
3.52$

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