Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 22k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 22k Ohms. C (out): 100pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1003. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Marquage sur le boîtier: R1007. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Remarque: 0.3W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 11pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Diode BE: non. C (out): 0.8pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 800 MHz. Fonction: FM-V/M/O. Gain hFE maxi: 198. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: 15.8k Ohms. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 3A, 80V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: hFE 20...90. Remarque: T32. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 0.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 11 MHz. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 210V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 0.55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 7.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 18A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 18. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-78. Tension collecteur-émetteur VCEO: 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-78. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Quantité par boîtier: 2. Puissance: 0.46W

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 8V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 25. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 60A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 250V. Courant de collecteur: 60A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 7pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 75...1000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

ROHS: Oui. Boîtier: TO3. Puissance: 200W. Montage/installation: THT. Type de transistor: transistor darlington. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 120V. Courant de collecteur Ic [A]: 30A

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 4pF. C (out): TO-204AA. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): +200°C. Remarque: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Courant de collecteur: 50A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11033. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C