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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors bipolaires NPN

Transistors bipolaires NPN

1017 produits disponibles
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Quantité en stock : 37
FJL6920

FJL6920

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 (...
FJL6920
Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
FJL6920
Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
Lot de 1
12.47$ TTC
(11.88$ HT)
12.47$
Quantité en stock : 20
FJN3302R

FJN3302R

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (s...
FJN3302R
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V
FJN3302R
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 300mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V
Lot de 1
0.81$ TTC
(0.77$ HT)
0.81$
Quantité en stock : 60
FJP13007

FJP13007

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
FJP13007
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
FJP13007
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
Lot de 1
2.92$ TTC
(2.78$ HT)
2.92$
Quantité en stock : 143
FJP13007H1

FJP13007H1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
FJP13007H1
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
FJP13007H1
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
Lot de 1
2.95$ TTC
(2.81$ HT)
2.95$
Quantité en stock : 64
FJP13007H2

FJP13007H2

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (sel...
FJP13007H2
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 39. Gain hFE mini: 26. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
FJP13007H2
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 110pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 39. Gain hFE mini: 26. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 9V
Lot de 1
2.80$ TTC
(2.67$ HT)
2.80$
Quantité en stock : 48
FJP13009

FJP13009

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
FJP13009
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 17. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
FJP13009
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 17. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
Lot de 1
3.63$ TTC
(3.46$ HT)
3.63$
Quantité en stock : 51
FJP13009H2

FJP13009H2

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (s...
FJP13009H2
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
FJP13009H2
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: J13009-2. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V
Lot de 1
4.16$ TTC
(3.96$ HT)
4.16$
Quantité en stock : 1175
FMMT619

FMMT619

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprim...
FMMT619
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 619. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 165 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
FMMT619
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 619. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 165 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
1.11$ TTC
(1.06$ HT)
1.11$
Quantité en stock : 28
FN1016

FN1016

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-...
FN1016
Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FP1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
FN1016
Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) FP1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
6.96$ TTC
(6.63$ HT)
6.96$
Quantité en stock : 1568
FZT458TA

FZT458TA

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imp...
FZT458TA
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT458. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
FZT458TA
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT458. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
3.80$ TTC
(3.62$ HT)
3.80$
Quantité en stock : 907
FZT849

FZT849

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 7A. Boîtier: soudure sur circuit impri...
FZT849
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT849. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
FZT849
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT849. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C
Lot de 1
2.80$ TTC
(2.67$ HT)
2.80$
Quantité en stock : 12
GEN561

GEN561

Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1...
GEN561
Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1
GEN561
Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1
Lot de 1
8.30$ TTC
(7.90$ HT)
8.30$
Quantité en stock : 70
HD1750FX

HD1750FX

Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Courant de collecteur: 24A. Boît...
HD1750FX
Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Courant de collecteur: 24A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: 0.17...0.31us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 10V
HD1750FX
Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Courant de collecteur: 24A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA hi-res (F). Ic(puls): 36A. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: 0.17...0.31us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.95V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Vebo: 10V
Lot de 1
11.22$ TTC
(10.69$ HT)
11.22$
Quantité en stock : 1
HPA100R

HPA100R

Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR...
HPA100R
Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR
HPA100R
Transistor NPN. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR
Lot de 1
29.19$ TTC
(27.80$ HT)
29.19$
Quantité en stock : 2
HPA150R

HPA150R

Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec ...
HPA150R
Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR
HPA150R
Transistor NPN. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Fonction: HA, hi-def. Remarque: 0.2. Spec info: MONITOR
Lot de 1
42.79$ TTC
(40.75$ HT)
42.79$
Quantité en stock : 850
HSCF4242

HSCF4242

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtie...
HSCF4242
Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 47. Gain hFE mini: 29. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: 'Epitaxial Planar Transistor'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V
HSCF4242
Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 47. Gain hFE mini: 29. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Spec info: 'Epitaxial Planar Transistor'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V
Lot de 1
1.79$ TTC
(1.70$ HT)
1.79$
Quantité en stock : 176
HSD1609-D

HSD1609-D

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boît...
HSD1609-D
Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: transistor complémentaire (paire) HSB1109. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
HSD1609-D
Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: transistor complémentaire (paire) HSB1109. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
0.86$ TTC
(0.82$ HT)
0.86$
Quantité en stock : 149
KF506

KF506

Transistor NPN, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-5. Boîtier (selo...
KF506
Transistor NPN, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-5. Boîtier (selon fiche technique): TO-5. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 35...125. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
KF506
Transistor NPN, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-5. Boîtier (selon fiche technique): TO-5. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 35...125. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN
Lot de 1
1.06$ TTC
(1.01$ HT)
1.06$
Quantité en stock : 1
KRC102M

KRC102M

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quan...
KRC102M
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN
KRC102M
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN
Lot de 1
2.65$ TTC
(2.52$ HT)
2.65$
Quantité en stock : 1
KRC110M

KRC110M

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quan...
KRC110M
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN
KRC110M
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN
Lot de 1
3.86$ TTC
(3.68$ HT)
3.86$
Quantité en stock : 1
KRC111M

KRC111M

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quan...
KRC111M
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN
KRC111M
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: TO-92M. Type de transistor: NPN
Lot de 1
7.62$ TTC
(7.26$ HT)
7.62$
Quantité en stock : 1998
KSC1009Y

KSC1009Y

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Di...
KSC1009Y
Transistor NPN, 0.7A, 140V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. C (out): 2.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V
KSC1009Y
Transistor NPN, 0.7A, 140V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. C (out): 2.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V
Lot de 1
0.40$ TTC
(0.38$ HT)
0.40$
Quantité en stock : 11
KSC1507-O

KSC1507-O

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtie...
KSC1507-O
Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C1507 O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V
KSC1507-O
Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: C1507 O. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V
Lot de 1
3.63$ TTC
(3.46$ HT)
3.63$
Quantité en stock : 5
KSC1507-Y

KSC1507-Y

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtie...
KSC1507-Y
Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C1507 Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V
KSC1507-Y
Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: Sortie couleur TV Chroma (VID-L). Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C1507 Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V
Lot de 1
4.01$ TTC
(3.82$ HT)
4.01$
Quantité en stock : 678
KSC1845-F

KSC1845-F

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Bo...
KSC1845-F
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: C1845. Equivalences: 2SC1845. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA992. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
KSC1845-F
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: C1845. Equivalences: 2SC1845. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSA992. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.46$ TTC
(0.44$ HT)
0.46$

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