Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (in): 90pF. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: AR4. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: sérigraphie/code CMS AR4. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Courant de collecteur: 250mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 25. Marquage sur le boîtier: B2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.225mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS B2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V

Transistor NPN, 1A, 120V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Dissipation de puissance maxi: 5W. Spec info: TO39. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, 60V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, SOT-186A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SOT-186A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 8A, 150V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 330V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, 350V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Spec info: 33 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Courant de collecteur: 9A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Courant de collecteur: 9A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF ( SOT399 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VCE(sat) 5.0V. Spec info: convient pour l'alimentation des téléviseurs SONY. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: commutation haute tension et haute vitesse. Gain hFE maxi: 13. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Remarque: Tension d'isolation 2500V. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: TV-HA, hi-res (F). Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance au silicium. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Dissipation de puissance maxi: 45W. Spec info: (F). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA Hi-re. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V