Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 500V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K1246. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-3PN 13-16A1A. Tension Vds(max): 1400V. C (in): 1800pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation haute tension. Diode au Germanium: non. Id(imp): 10A. Dissipation de puissance maxi: 240W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.5V

Transistor canal N, 15A, 30A, 30A, 0.028 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: Compatible avec le niveau logique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS II.5. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 5.5A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Tension Vds(max): 400V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC-DC. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 250V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K1393. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 150 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 3.6A. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 2.8 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3BP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Marquage sur le boîtier: K1461. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3V. Tension grille/source Vgs: 30 v

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, 21F1B, 1 kV, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 21F1B. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SK1489. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 27A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K1507. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 180V. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Protection G-S: non. Marquage sur le boîtier: K1529. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V

Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 900pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Protection G-S: non. Marquage sur le boîtier: K1530. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V

Transistor canal N, 12mA, TO-92, TO-92, 40V. Idss (maxi): 12mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 40V. C (in): 30pF. C (out): 6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Protection G-S: non. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C

Transistor canal N, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Power MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series

Transistor canal N, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 690pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Transistor canal N, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. Id (T=100°C): 1A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 3.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FI. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: K2043. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V

Transistor canal N, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. Id (T=25°C): 20mA. Idss (maxi): 12mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 20V. C (in): 4pF. C (out): 4pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: Applications du syntoniseur FM. Protection G-S: non. Idss (min): 0.6mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.5V

Transistor canal N, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 100W. Technologie: V-MOS

Transistor canal N, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 24A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor MOSFET

Transistor canal N, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 4.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS-L

Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series

Transistor canal N, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: FAP-IIA Series

Transistor canal N, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1100pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Electronique automobile. Protection G-S: oui. Id(imp): 108A. Marquage sur le boîtier: K2314. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: ESD Protected--2000V min. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Transistor à effet de champ de puissance. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V

Transistor canal N, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Tension Vds(max): 700V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: 70/160ns. Dissipation de puissance maxi: 50W. Technologie: V-MOS (F)