Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 5.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90 MHz. Fonction: VID-L. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 300mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, 250V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Fonction: VID-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, 400V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Spec info: TO-93. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 25mA, 15V. Courant de collecteur: 25mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-V M/O. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1V. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: sérigraphie/code CMS 1V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-202, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-202. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W

Transistor NPN, 50mA, TO-202, TO-202, 250V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-202. Boîtier (selon fiche technique): TO-202. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Ic(puls): 100mA. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-202, TO-202, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-202. Boîtier (selon fiche technique): TO-202. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: VID-L. Ic(puls): 100mA. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Quantité par boîtier: 1 db. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Fonction: VID-L. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: NPN. FT: 60 MHz

Transistor NPN, 50mA, 275V. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 275V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Dissipation de puissance maxi: 7W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 700 MHz. Fonction: VHF TV-IF. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 35. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: Transistor large bande VHF/UHF-A 7 GHz. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Vebo: 2V

Transistor NPN, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode BE: non. C (out): 0.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7GHz. Fonction: Pour amplificateur d'antenne VHF/UHF et applications de communication RF. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Diode BE: non. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: V3%. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Diode BE: non. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: %MW. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS MW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: VID-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Courant de collecteur: 80mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 12V. Diode BE: non. C (in): 0.9pF. C (out): 0.28pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 70. Marquage sur le boîtier: RCs. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 580mW (total 380mW). RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS RCs. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V

Transistor NPN, 0.3A, 100V. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Remarque: Tc.=115°C. Dissipation de puissance maxi: 3W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BFQ252. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-A. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 36V. Courant de collecteur: 1.25A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 210mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 210mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: R7s. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.7W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C