Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 280V/150V. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 600V, 10A, TO-3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 600V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 175W. Fréquence maxi: 10MHz. Gain hFE min.: 150

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6 MHz. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 20. Gain hFE mini: 12. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 175V. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 12A, 375V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 12A, 400V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 6A, 375V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 375V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV-SN. Dissipation de puissance maxi: 70W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 800V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA/Monitor. Gain hFE maxi: 7.3. Gain hFE mini: 4.2. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Spec info: Rbe 25 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 55W. Spec info: 'CTV-HA' (isolé). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: SOT-430. Boîtier (selon fiche technique): SOT-430. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: CTV-HA. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 700V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA SMPS. Remarque: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS (F). Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ITO-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): SOT-199. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508AF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Dissipation maximale Ptot [W]: 34W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 125W

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ISOWATT-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ISOWATT-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508DFI. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 7 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 480V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-SN. Dissipation de puissance maxi: 62W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V