Transistor IGBT IKW25N120T2

Quantité	HT	TTC
1 - 1	21.72$	22.81$
2 - 2	20.64$	21.67$
3 - 4	19.55$	20.53$
5 - 9	18.46$	19.38$
10 - 14	18.03$	18.93$
15 - 19	17.60$	18.48$
20 - 392	16.94$	17.79$

Quantité	U.P
1 - 1	21.72$	22.81$
2 - 2	20.64$	21.67$
3 - 4	19.55$	20.53$
5 - 9	18.46$	19.38$
10 - 14	18.03$	18.93$
15 - 19	17.60$	18.48$
20 - 392	16.94$	17.79$

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Quantité en stock : 392

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Transistor IGBT IKW25N120T2. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K25T1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Courant de collecteur maxi (A): 100A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 13:25.

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