Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.38$ | 0.40$ |
10 - 24 | 0.36$ | 0.38$ |
25 - 49 | 0.34$ | 0.36$ |
50 - 99 | 0.32$ | 0.34$ |
100 - 249 | 0.28$ | 0.29$ |
250 - 374 | 0.26$ | 0.27$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.38$ | 0.40$ |
10 - 24 | 0.36$ | 0.38$ |
25 - 49 | 0.34$ | 0.36$ |
50 - 99 | 0.32$ | 0.34$ |
100 - 249 | 0.28$ | 0.29$ |
250 - 374 | 0.26$ | 0.27$ |
Transistor PNP, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD140-CDIL. Transistor PNP, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD139. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 30/04/2025, 17:25.
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