Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.93$ | 0.98$ |
2 - 2 | 0.88$ | 0.92$ |
3 - 4 | 0.83$ | 0.87$ |
5 - 9 | 0.81$ | 0.85$ |
10 - 24 | 0.79$ | 0.83$ |
25 - 49 | 0.74$ | 0.78$ |
50 - 105 | 0.70$ | 0.74$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.93$ | 0.98$ |
2 - 2 | 0.88$ | 0.92$ |
3 - 4 | 0.83$ | 0.87$ |
5 - 9 | 0.81$ | 0.85$ |
10 - 24 | 0.79$ | 0.83$ |
25 - 49 | 0.74$ | 0.78$ |
50 - 105 | 0.70$ | 0.74$ |
Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B. Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 19:25.
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