Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0884$ | 0.0928$ |
10 - 24 | 0.0840$ | 0.0882$ |
25 - 49 | 0.0796$ | 0.0836$ |
50 - 99 | 0.0751$ | 0.0789$ |
100 - 249 | 0.0707$ | 0.0742$ |
250 - 499 | 0.0604$ | 0.0634$ |
500 - 17443 | 0.0564$ | 0.0592$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0884$ | 0.0928$ |
10 - 24 | 0.0840$ | 0.0882$ |
25 - 49 | 0.0796$ | 0.0836$ |
50 - 99 | 0.0751$ | 0.0789$ |
100 - 249 | 0.0707$ | 0.0742$ |
250 - 499 | 0.0604$ | 0.0634$ |
500 - 17443 | 0.0564$ | 0.0592$ |
Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V - BC546B. Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.
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