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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60
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Quantité HT TTC
1 - 1 9.77$ 10.26$
2 - 2 9.28$ 9.74$
3 - 4 8.99$ 9.44$
5 - 9 8.79$ 9.23$
10 - 19 8.60$ 9.03$
20 - 29 8.30$ 8.72$
30+ 8.01$ 8.41$
Quantité U.P
1 - 1 9.77$ 10.26$
2 - 2 9.28$ 9.74$
3 - 4 8.99$ 9.44$
5 - 9 8.79$ 9.23$
10 - 19 8.60$ 9.03$
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Lot de 1

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60. Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 00:25.

Documentation technique

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STP20NM60FD
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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Lot de 1
9.67$ TTC
(9.21$ HT)
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Quantité en stock : 57
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SPP20N60C3
Transistor canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 62.1A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V
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10.27$
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SPP20N60S5
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