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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5

Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5
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2 - 2 10.00$ 10.50$
3 - 4 9.79$ 10.28$
5 - 9 9.47$ 9.94$
10 - 14 9.26$ 9.72$
15 - 19 8.94$ 9.39$
20 - 100 8.63$ 9.06$
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Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V - SPP20N60S5. Transistor canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. RoHS: oui. C (in): 3000pF. C (out): 1170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 610 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 20N60S5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 00:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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Transistor canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 13.1A. Id (T=25°C): 20.7A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): P-TO220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 2400pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Protection G-S: non. Id(imp): 62.1A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 20N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V
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