Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.21$ | 2.32$ |
5 - 9 | 2.10$ | 2.21$ |
10 - 24 | 1.99$ | 2.09$ |
25 - 49 | 1.88$ | 1.97$ |
50 - 99 | 1.84$ | 1.93$ |
100 - 249 | 1.65$ | 1.73$ |
250 - 276 | 1.57$ | 1.65$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.21$ | 2.32$ |
5 - 9 | 2.10$ | 2.21$ |
10 - 24 | 1.99$ | 2.09$ |
25 - 49 | 1.88$ | 1.97$ |
50 - 99 | 1.84$ | 1.93$ |
100 - 249 | 1.65$ | 1.73$ |
250 - 276 | 1.57$ | 1.65$ |
Transistor canal N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V - IRFZ44V. Transistor canal N, 39A, 55A, 250uA, 16.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 16.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1812pF. C (out): 393pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 220A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 115W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 14:25.
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