Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72$ | 1.81$ |
5 - 9 | 1.63$ | 1.71$ |
10 - 24 | 1.54$ | 1.62$ |
25 - 49 | 1.46$ | 1.53$ |
50 - 99 | 1.42$ | 1.49$ |
100 - 153 | 1.29$ | 1.35$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.72$ | 1.81$ |
5 - 9 | 1.63$ | 1.71$ |
10 - 24 | 1.54$ | 1.62$ |
25 - 49 | 1.46$ | 1.53$ |
50 - 99 | 1.42$ | 1.49$ |
100 - 153 | 1.29$ | 1.35$ |
Transistor canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ44N. Transistor canal N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0175 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 94W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 17:25.
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