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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - FQPF12N60C

Transistor canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - FQPF12N60C
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Quantité HT TTC
1 - 4 6.06$ 6.36$
5 - 9 5.76$ 6.05$
10 - 24 5.58$ 5.86$
25 - 49 5.46$ 5.73$
50 - 99 5.34$ 5.61$
100+ 5.03$ 5.28$
Quantité U.P
1 - 4 6.06$ 6.36$
5 - 9 5.76$ 6.05$
10 - 24 5.58$ 5.86$
25 - 49 5.46$ 5.73$
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Transistor canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - FQPF12N60C. Transistor canal N, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 7.4A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.53 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1760pF. C (out): 182pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 48nC, Low Crss 21pF. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 51W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 00:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 62
STF18NM60N

STF18NM60N

Transistor canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T...
STF18NM60N
Transistor canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
STF18NM60N
Transistor canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 18NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
5.45$ TTC
(5.19$ HT)
5.45$
Quantité en stock : 125
STF13NM60N

STF13NM60N

Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (...
STF13NM60N
Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
STF13NM60N
Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.92$ TTC
(3.73$ HT)
3.92$

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