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Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N

Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N
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Quantité HT TTC
1 - 4 3.73$ 3.92$
5 - 9 3.54$ 3.72$
10 - 24 3.43$ 3.60$
25 - 49 3.36$ 3.53$
50 - 99 3.28$ 3.44$
100 - 125 2.98$ 3.13$
Quantité U.P
1 - 4 3.73$ 3.92$
5 - 9 3.54$ 3.72$
10 - 24 3.43$ 3.60$
25 - 49 3.36$ 3.53$
50 - 99 3.28$ 3.44$
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Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF13NM60N. Transistor canal N, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 8.2A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 790pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 52A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 13NM60N. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 16/06/2025, 00:25.

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