Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 14.06$ | 14.76$ |
2 - 2 | 13.36$ | 14.03$ |
3 - 4 | 12.66$ | 13.29$ |
5 - 9 | 11.95$ | 12.55$ |
10 - 19 | 11.67$ | 12.25$ |
20 - 29 | 11.39$ | 11.96$ |
30+ | 10.97$ | 11.52$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 14.06$ | 14.76$ |
2 - 2 | 13.36$ | 14.03$ |
3 - 4 | 12.66$ | 13.29$ |
5 - 9 | 11.95$ | 12.55$ |
10 - 19 | 11.67$ | 12.25$ |
20 - 29 | 11.39$ | 11.96$ |
30+ | 10.97$ | 11.52$ |
Transistor canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK2850. Transistor canal N, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 1.87 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 950pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Température de fonctionnement: -...+150°. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 00:25.
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