Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.16$ | 2.27$ |
5 - 9 | 2.05$ | 2.15$ |
10 - 24 | 1.94$ | 2.04$ |
25 - 49 | 1.83$ | 1.92$ |
50 - 99 | 1.79$ | 1.88$ |
100 - 249 | 1.65$ | 1.73$ |
250 - 272 | 1.57$ | 1.65$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.16$ | 2.27$ |
5 - 9 | 2.05$ | 2.15$ |
10 - 24 | 1.94$ | 2.04$ |
25 - 49 | 1.83$ | 1.92$ |
50 - 99 | 1.79$ | 1.88$ |
100 - 249 | 1.65$ | 1.73$ |
250 - 272 | 1.57$ | 1.65$ |
Transistor canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V - IRFRC20. Transistor canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=100°C): 1.3A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 350pF. C (out): 48pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 290 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 8A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 14:25.
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