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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645

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Transistor canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V - 2SK2645. Transistor canal N, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 600V. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 32A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 11:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 27A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K1507. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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