Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.49$ | 2.61$ |
5 - 9 | 2.36$ | 2.48$ |
10 - 24 | 2.24$ | 2.35$ |
25 - 49 | 2.12$ | 2.23$ |
50 - 99 | 2.07$ | 2.17$ |
100 - 182 | 1.87$ | 1.96$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.49$ | 2.61$ |
5 - 9 | 2.36$ | 2.48$ |
10 - 24 | 2.24$ | 2.35$ |
25 - 49 | 2.12$ | 2.23$ |
50 - 99 | 2.07$ | 2.17$ |
100 - 182 | 1.87$ | 1.96$ |
Transistor canal P, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9540. Transistor canal P, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1400pF. C (out): 590pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 13A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 22:25.
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