Transistor IGBT SGW30N60HS

Quantité	HT	TTC
1 - 1	15.30$	16.07$
2 - 2	14.54$	15.27$
3 - 4	13.77$	14.46$
5 - 9	13.01$	13.66$
10 - 14	10.72$	11.26$
15 - 19	10.46$	10.98$
20 - 71	10.08$	10.58$

Quantité	U.P
1 - 1	15.30$	16.07$
2 - 2	14.54$	15.27$
3 - 4	13.77$	14.46$
5 - 9	13.01$	13.66$
10 - 14	10.72$	11.26$
15 - 19	10.46$	10.98$
20 - 71	10.08$	10.58$

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Transistor IGBT SGW30N60HS. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 122 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.

Documentation technique