Transistor IGBT SGW25N120
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 29.93$ | 31.43$ |
| 2 - 2 | 28.43$ | 29.85$ |
| 3 - 4 | 26.94$ | 28.29$ |
| 5 - 9 | 25.44$ | 26.71$ |
| 10 - 14 | 20.70$ | 21.74$ |
| 15 - 19 | 20.20$ | 21.21$ |
| 20 - 51 | 19.45$ | 20.42$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 29.93$ | 31.43$ |
| 2 - 2 | 28.43$ | 29.85$ |
| 3 - 4 | 26.94$ | 28.29$ |
| 5 - 9 | 25.44$ | 26.71$ |
| 10 - 14 | 20.70$ | 21.74$ |
| 15 - 19 | 20.20$ | 21.21$ |
| 20 - 51 | 19.45$ | 20.42$ |
Transistor IGBT SGW25N120. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SGW25N120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 46A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 990 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 313W. Courant de collecteur maxi (A): 84A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.
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