Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 18.05$ | 18.95$ |
2 - 2 | 17.15$ | 18.01$ |
3 - 4 | 16.25$ | 17.06$ |
5 - 9 | 15.35$ | 16.12$ |
10 - 14 | 14.98$ | 15.73$ |
15 - 19 | 14.62$ | 15.35$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 18.05$ | 18.95$ |
2 - 2 | 17.15$ | 18.01$ |
3 - 4 | 16.25$ | 17.06$ |
5 - 9 | 15.35$ | 16.12$ |
10 - 14 | 14.98$ | 15.73$ |
15 - 19 | 14.62$ | 15.35$ |
Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 14:25.
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