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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF

Transistor canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF
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5 - 9 1.73$ 1.82$
10 - 24 1.64$ 1.72$
25 - 49 1.55$ 1.63$
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100 - 249 1.47$ 1.54$
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Transistor canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V - BUZ80AF. Transistor canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.1A. Idss (maxi): 2.1A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 40W. Technologie: V-MOS (F). Remarque: <100/220ns. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 29/04/2025, 15:25.

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STP4NB80FP
Transistor canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non
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