Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.24$ | 1.30$ |
2 - 2 | 1.18$ | 1.24$ |
3 - 4 | 1.12$ | 1.18$ |
5 - 9 | 1.06$ | 1.11$ |
10 - 24 | 1.00$ | 1.05$ |
25 - 42 | 0.93$ | 0.98$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.24$ | 1.30$ |
2 - 2 | 1.18$ | 1.24$ |
3 - 4 | 1.12$ | 1.18$ |
5 - 9 | 1.06$ | 1.11$ |
10 - 24 | 1.00$ | 1.05$ |
25 - 42 | 0.93$ | 0.98$ |
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V - BC546C. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 19:25.
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