Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 700mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 700mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/40V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V/60V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.5A, 50V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Remarque: hFE 100..200. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA673A. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-202, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-202. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 0.05A, 50V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: TV-IF. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: hauteur 9mm. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Dimensions: 12x23mm. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, 5A, 500V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M18/J, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M18/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W

Transistor NPN, 0.3A, 32V. Courant de collecteur: 0.3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 5000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/35V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.07A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.07A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, 400V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V