Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.26$ | 1.32$ |
2 - 2 | 1.19$ | 1.25$ |
3 - 4 | 1.13$ | 1.19$ |
5 - 9 | 1.07$ | 1.12$ |
10 - 24 | 1.01$ | 1.06$ |
25 - 49 | 0.86$ | 0.90$ |
50 - 102 | 0.81$ | 0.85$ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.26$ | 1.32$ |
2 - 2 | 1.19$ | 1.25$ |
3 - 4 | 1.13$ | 1.19$ |
5 - 9 | 1.07$ | 1.12$ |
10 - 24 | 1.01$ | 1.06$ |
25 - 49 | 0.86$ | 0.90$ |
50 - 102 | 0.81$ | 0.85$ |
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V - BC327-16. Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-16. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 27/04/2025, 14:25.
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