Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 11. Remarque: CMOS basse consommation. Remarque: avec batterie de secours. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: SRAM +RTC. Famille de circuits mémoire: DS13. Taille de la mémoire [octet]: 64 Byte. Configuration de la mémoire: 64x8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100kHz. Type d'interface: interface série, bus I2C. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP16. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Famille de circuits mémoire: DS24. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Type d'interface: interface série, '1-Wire / 3-wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Famille de circuits mémoire: DS24. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Type d'interface: interface série, '1-Wire / 3-wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG TXT. Remarque: CMOS S-RAM. Boîtier: DIP

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire. Nombre de connexions: 8. Type de mémoire: NOR Flash. Mémoire de stockage de programme: 1Mbit. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: Mémoire 'FLASH'. Alimentation électrique: 2.7...3.6V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8. Fréquence de fonctionnement: 80MHz. Température de fonctionnement: -40...85°C. Entrées/sorties: Dual I/O, SPI

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: FIFO. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 512x9-bit. Configuration de la mémoire: 512x9-bit. Signal d'horloge max (MHz): 35 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: 72. Taille de la mémoire [octet]: 32K x 9-bit. Configuration de la mémoire: 32K x 9-bit. Signal d'horloge max (MHz): 25 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: IS62C256AL. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-28. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 32 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 32s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: I/O-pin. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 40 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 40s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: I/O-pin. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Boîtier (norme JEDEC): SO

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 60 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 60s. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Type d'interface: bus série SPI. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température industrielle. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1

Circuit intégré mémoire. Remarque: plage de température commerciale. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-2

Circuit intégré mémoire. Remarque: SRAM. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Taille mémoire: 2kb. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8

Circuit intégré mémoire. Remarque: CMOS OTP. Nombre de connexions: 32. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. Remarque: 256 Kbit (32Kb × 8). Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.75...5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Date de production: 2015/03. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de circuits mémoire: M48Z. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Fonction: oui. Nombre de connexions: 24. Mémoire RAM: SRAM 16Kbit (2Kx8). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.75...5.5V