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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Mémoires divers

Mémoires divers

184 produits disponibles
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1...678
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W25Q32JVSSIM-TR

W25Q32JVSSIM-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q32JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q32JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
2.26$ TTC
(2.15$ HT)
2.26$
Quantité en stock : 990
W25Q64JVSSIM-TR

W25Q64JVSSIM-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q64JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q64JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
3.06$ TTC
(2.91$ HT)
3.06$
Quantité en stock : 1665
W25Q64JVSSIQ-TR

W25Q64JVSSIQ-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q64JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q64JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
3.12$ TTC
(2.97$ HT)
3.12$
Quantité en stock : 5
W25Q80DVSSIG

W25Q80DVSSIG

ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. T...
W25Q80DVSSIG
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 8Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série
W25Q80DVSSIG
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 8Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série
Lot de 1
3.17$ TTC
(3.02$ HT)
3.17$
Quantité en stock : 4
XLS24C04P

XLS24C04P

Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montag...
XLS24C04P
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
XLS24C04P
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
5.70$ TTC
(5.43$ HT)
5.70$
1...678

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