Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 55W. Spec info: 'CTV-HA' (isolé). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: SOT-430. Boîtier (selon fiche technique): SOT-430. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV/Monitor. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: CTV-HA. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 700V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: CTV-HA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA SMPS. Remarque: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SMPS (F). Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ITO-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): SOT-199. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508AF. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Dissipation maximale Ptot [W]: 34W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1500V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-247. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 125W

Transistor NPN, 8A, 700V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 34W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, ISOWATT-218, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ISOWATT-218. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU508DFI. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 700V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 7 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 480V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-SN. Dissipation de puissance maxi: 62W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 330V/ 200V. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FH. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 42W. Spec info: TO-220FH. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Résistance BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 230. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Résistance BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 60...230, boîtier plastique isolé. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62W. Spec info: temps de descente 0.8us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 450V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BU941ZP. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 350V. Dissipation maximale Ptot [W]: 155W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor NPN, 15A, 400V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Remarque: >300. Dissipation de puissance maxi: 65W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: temps de descente 625ns. Gain hFE maxi: 3400. Gain hFE mini: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: HV-POWER. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Transistor de puissance à commutation rapide haute tension. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'High Voltage Multi Epitaxial Planar technology'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-ISO. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 7. Ic(puls): 18A. Remarque: hi-res, monitor 19. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V