Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Dissipation de puissance maxi: 85W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1673. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: SMPS. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1695. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1695. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 6 MHz. Fonction: Transistor de commutation haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 550V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 10A, 600V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SC-71. Boîtier (selon fiche technique): SC-71. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 14pF. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: 12.9k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1770. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SC-71. Boîtier (selon fiche technique): SC-71. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 14pF. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: 12.9k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1770. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10mA, 1500V. Courant de collecteur: 10mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: focus dynamique, commutation haute tension. Remarque: Ic--10mA/30mApp. Dissipation de puissance maxi: 2W. Spec info: TO-220FI (Forming). Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10mA, 1800V. Courant de collecteur: 10mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: focus dynamique. Remarque: Ic--10mA/30mApp. Dissipation de puissance maxi: 2W. Spec info: TO-220FI. Type de transistor: NPN. Vcbo: 2000V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 25pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 210 MHz. Fonction: Io-sat. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Remarque: sérigraphie/code CMS DK. Marquage sur le boîtier: DK. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1797. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 50mA, 1200V. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5.5 MHz. Fonction: Applications de mise au point dynamique de la télévision. Remarque: Applications de commutation haute tension. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 80V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: HI-FI NF-E. Remarque: (F). Dissipation de puissance maxi: 55W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1803. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: MONITOR. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PFM. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Quantité par boîtier: 1. Compatibilité: CVM4967A. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Display-HA, Hi-res. Gain hFE maxi: 25. Ic(puls): 16A. Equivalences: SAMSUNG 891 464744AA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused'. Tf(max): 0.4us. Type de transistor: NPN. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Display-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Hi-res'. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: moniteur VGA. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 800V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Boîtier (selon fiche technique): TO3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Gain hFE maxi: 8. Gain hFE mini: 3. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf (type): 0.1us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1837. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN