Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	33.23$	34.89$
2 - 2	31.57$	33.15$
3 - 4	29.91$	31.41$
5 - 9	28.25$	29.66$
10 - 13	27.58$	28.96$

Quantité	U.P
1 - 1	33.23$	34.89$
2 - 2	31.57$	33.15$
3 - 4	29.91$	31.41$
5 - 9	28.25$	29.66$
10 - 13	27.58$	28.96$

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Lot de 1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 39N60BD1. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 76A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 152A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 26/04/2025, 20:25.

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