Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	13.63$	14.31$
2 - 2	12.95$	13.60$
3 - 4	12.67$	13.30$
5 - 7	12.26$	12.87$

Quantité	U.P
1 - 1	13.63$	14.31$
2 - 2	12.95$	13.60$
3 - 4	12.67$	13.30$
5 - 7	12.26$	12.87$

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 7

Lot de 1

Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension drain - source: 1200V. Courant de collecteur: 50A. Puissance: 326W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/06/2025, 13:25.

Documentation technique

Nous vous recommandons aussi :

Dissipateurs thermiques

(471)

Accessoires de montage pour transistors

(106)

Graisse thermique

(28)