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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 19A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3683-01MR

Transistor canal N, 19A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3683-01MR
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Quantité HT TTC
1 - 1 15.09$ 15.84$
2 - 2 14.34$ 15.06$
3 - 4 14.03$ 14.73$
5 - 9 13.58$ 14.26$
10 - 19 13.28$ 13.94$
20 - 29 12.83$ 13.47$
30+ 12.37$ 12.99$
Quantité U.P
1 - 1 15.09$ 15.84$
2 - 2 14.34$ 15.06$
3 - 4 14.03$ 14.73$
5 - 9 13.58$ 14.26$
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20 - 29 12.83$ 13.47$
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Lot de 1

Transistor canal N, 19A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3683-01MR. Transistor canal N, 19A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1560pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 0.57us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High speed switching,. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 97W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 56 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 15/06/2025, 07:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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STP20NM60

STP20NM60

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T...
STP20NM60
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
STP20NM60
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
Lot de 1
10.26$ TTC
(9.77$ HT)
10.26$
Quantité en stock : 23
STP20NM60FD

STP20NM60FD

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T...
STP20NM60FD
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
STP20NM60FD
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 500pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FD. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 192W. RoHS: oui. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
Lot de 1
9.67$ TTC
(9.21$ HT)
9.67$
Quantité en stock : 25
STP20NM60FP

STP20NM60FP

Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id...
STP20NM60FP
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
STP20NM60FP
Transistor canal N, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 12.6A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P20NM60FP. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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6.67$ TTC
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6.67$

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