Diodes standard et de redressement

Diode, 0.8A, 400V. IF(AV): 0.8A. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8.9x8.8mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). VRRM: 1000V. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms

Diode, 12A, 330A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. IF(AV): 12A. IFSM: 330A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 100V. Cj: 183pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. Equivalences: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V

Diode, 150A, 1600A, POWERTAB, 200V. IF(AV): 150A. IFSM: 1600A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 200V. Cj: 180pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 45 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.13V. Tension de seuil Vf (min): 0.99V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode, 150A, 1500A, POWERTAB, 400V. IF(AV): 150A. IFSM: 1500A. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.07V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode, 19A, TO-220, TO-220AB, 15V. IF(AV): 19A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 15V. Matériau semi-conducteur: Sb. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Remarque: 700App/5us, 330App/10ms. Remarque: Vfm 0.36V/19A

Diode, 100V, DO41, 1A. VRRM: 100V. Boîtier: DO41. Courant redressé moyen par diode: 1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.1V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: <50uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série de produits: 1N40

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 400V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. RoHS: oui. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-41. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms

Diode, 1000V, 1A, 30A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms

Diode, 200mA, 500mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. Autre nom: IN4148. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Diode, SOD-323, 150mA, 300mA, SOD-323F, 100V. Boîtier: SOD-323. IF(AV): 150mA. IFSM: 300mA. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 100V. RoHS: oui. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. Autre nom: IN4148. IRM (max): 1uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 1.7x1.25x1mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A

Diode, 500mA, 1A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 500mA. IFSM: 1A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V

Diode, soudure sur circuit imprimé, DO-35, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. If [A]: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 4A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA

Diode, 0.3A, 4A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 50V. IF(AV): 0.3A. IFSM: 4A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C

Diode, 0.2A, 2A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 75V. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 75V. Trr Diode (Min.): 2 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de commutation ultra-rapide, Ifsm 1us 2A. IRM (max): 50nA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 1A, 30A, DO-41, DO41, 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Spec info: 30App/8.3ms

Diode, DO-41, 1A, 30A, DO-41 ( DO-204AL ), 600V. Boîtier: DO-41. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: oui. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode, 2A, 50A, DO-15, DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm, 800V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifier. IRM (max): uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 3.3mA, DO-35 ( SOD27 ), DO-35, 100V. IF(AV): 3.3mA. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode. Remarque: diode tunnel. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 300V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 300V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 500V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 500V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, DO-15 ( 3.3x6.4mm ), 1000V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms