Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.22$ | 2.33$ |
5 - 9 | 2.11$ | 2.22$ |
10 - 24 | 2.04$ | 2.14$ |
25 - 49 | 2.00$ | 2.10$ |
50 - 99 | 1.96$ | 2.06$ |
100 - 249 | 1.13$ | 1.19$ |
250 - 407 | 1.09$ | 1.14$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.22$ | 2.33$ |
5 - 9 | 2.11$ | 2.22$ |
10 - 24 | 2.04$ | 2.14$ |
25 - 49 | 2.00$ | 2.10$ |
50 - 99 | 1.96$ | 2.06$ |
100 - 249 | 1.13$ | 1.19$ |
250 - 407 | 1.09$ | 1.14$ |
Récepteur IR QSE113. Récepteur IR. RoHS: oui. Famille de composants: Phototransistor. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: rectangulaire, 5.08x4.44mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Longueur d'onde dominante [nm]: 880nm. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±25°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Longueur extérieure [mm]: 5.08mm. Largeur extérieure [mm]: 4.44mm. Épaisseur extérieure [mm]: 2.54mm. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Produit d'origine constructeur Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 14/06/2025, 23:25.
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